Crescimento de filmes e nanofios de GaN usando epitaxia por Magnetron Sputtering (MSE)

• Processo: 12/21147-7
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Vigência: 01 de abril de 2013 - 30 de junho de 2015
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Pesquisador responsável: Jose Humberto Dias da Silva
• Beneficiário: Jose Humberto Dias da Silva
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Pesquisadores associados: Paulo Noronha Lisboa Filho
• Assunto(s): Nanofios Deposição de filmes finos Semicondutores Epitaxia por feixe molecular Nitreto de gálio Dopagem eletrônica Pulverização catódica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: dopagem | filmes | magnetron sputtering | Nanofios | nitreto de gálio (GaN) | nucleação | Deposição de Filmes Semicondutores

Resumo

O crescimento e as propriedades dimensionais de nanoestruturas semicondutoras apresentam interesse central para o desenvolvimento atual de ciência fundamental e novas tecnologias. Nesse contexto, crescimentos de filmes e nanofios de GaN serão investigados usando a técnica de epitaxia por magnetron sputtering (MSE). Na implementação dessa técnica serão utilizados alvos de Ga e plasmas de argônio e nitrogênio espacialmente separados. Essa nova configuração proposta minimizará efeitos de contaminação do alvo e danos produzidos por colisão de partículas energéticas com a superfície de crescimento. A ampla faixa disponível de parâmetros controláveis possibilitará a deposição de filmes e nanofios no mesmo equipamento: para obtenção dos nanofios serão utilizados fluxos altos de nitrogênio ativado por plasma, baixas pressões e incidência direcional de Ga, e temperaturas altas de substrato em comparação com as utilizadas nas deposições de filmes bidimensionais. As condições para crescimento espontâneo dos nanofios na direção [0001] da estrutura wurtzita serão priorizadas nos experimentos. A morfologia superficial, estrutura, propriedades eletrônicas e ópticas serão caracterizadas com a finalidade de otimizar o crescimento e as características físicas dos materiais produzidos. Dopagens das nanoestruturas serão realizadas visando aplicações em LEDs, eletrônica de ultra-alta-potência, nanofotônica, e spintrônica. (AU)

Publicações científicas

(6)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

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SCHIABER, ZIANI DE SOUZA; CALABRESE, GABRIELE; KONG, XIANG; TRAMPERT, ACHIM; JENICHEN, BERND; DIAS DA SILVA, JOSE HUMBERTO; GEELHAAR, LUTZ; BRANDT, OLIVER; FERNANDEZ-GARRIDO, SERGIO. Polarity-Induced Selective Area Epitaxy of GaN Nanowires. Nano Letters, v. 17, n. 1, p. 63-70, JAN 2017. (12/21147-7)

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