Modelagem e Simulação Computacional dos Nitretos, GaN, InN e AlN.

• Processo: 11/06317-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 2011
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 2012
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Pesquisador responsável: Julio Ricardo Sambrano
• Beneficiário: Elen Caroline Martins Toniatto
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Cristais GAN Materiais Simulação por computador
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: AlN | Crystal | GaN | InN | semicondutores | Simulação Computacional | Ciência dos materiais

Resumo

O interesse em nitretos semicondutores aumentou com o desenvolvimento da nanotecnologia, que tem por finalidade o desenvolvimento de materiais nanométricos e nanoestruturados, na qual a mecânica quântica aliada a modelos computacionais são de caráter fundamental, propiciando um intercâmbio entre a teoria e o experimento. Dado a isso, obteve-se um aumento considerável no interesse e na necessidade da comprovação ou mesmo da busca de informações prévias a respeito das propriedades estruturais e eletrônicas dos materiais. Entre estes, podemos destacar os nitretos semicondutores do grupo III; como GaN (nitreto de gálio), InN (nitreto de índio) e AlN (nitreto de aluminio). A principal característica desses materiais e o que os torna adequados para emissão de luz é o gap direto.O objetivo deste projeto é o caracterizar teoricamente os nitretos, GaN, InN e AlN, aplicando as já consagradas metodologias da Química Teórica e Computacional, que permitam analisar e compreender as propriedades destes materiais. A simulação será efetuada com o programa CRYSTAL, utilizando a Teoria do Funcional da Densidade ( DFT ) aplicada a modelos periódicos.