Caracterização física de filmes finos de ZnSe e ZnTe preparados por eletrodeposição

• Processo: 12/13678-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado Direto
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 2012
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2013
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Química - Físico-química
• Pesquisador responsável: Lucia Helena Mascaro Sales
• Beneficiário: Murilo Fernando Gromboni
• Supervisor: Alejandro Pérez-Rodríguez
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: Institut de Recerca en Energia de Catalunya, Barcelona (IREC), Espanha
• Vinculado à bolsa: 09/00788-1 - Obtenção e caracterização de filmes finos de ZnTe e ZnSe pela técnica de ECALE, BP.DD
• Assunto(s): Eletroquímica Filmes finos Espectroscopia Raman Eletrodeposição
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: dispositivos fotovoltaicos | Micro-Raman | Eletroquímica

Resumo

Durante o projeto de doutorado foram estudadas as condições para a obtenção de filme finos de ZnSe e ZnTe eletrodepositados em multicamadas e codeposição. Estes filmes apresentaram características bastante distintas quanto a sua morfologia e fotocorrente, entretanto, uma variação muito pequena no band gap. Um resultado bastante interessante foi observado nos filmes obtidos por multicamadas, onde a fotocorrente e a morfologia apresentava uma variação muito significativa se o filme era iniciado pela deposição de Zn ou de Se, mesmo que fosse mantida a carga de deposição e o número de camadas. Outro aspecto destes depósitos é que nas medidas de EDX não se detectava Zn no depósito, mesmo a morfologia sendo característica deste material e, portanto, não se observou variação da composição do filme. Estes resultados mostraram que seria de importante relacionar as propriedades apresentadas por estes filmes com a sua microestrutura e espessura. Outra característica importante neste caso seria avaliar o perfil de composição dos filmes de acordo com o número e a ordem das camadas de Zn e Se e Zn e Te. Também não se pode deixar de mencionar após conhecer as propriedades físicas e optoeletrônicas destes filmes semicondutores de ZnTe e ZnSe seria necessário avaliar se estes matérias teriam um bom desempenho em dispositivos fotovoltaicos. Deste modo, neste projeto pretende-se a partir de técnicas físicas como Microscopia Eletrônica de Varredura juntamente com Espectroscopia de Energia Dispersiva de Raios-X, Espectroscopia de Difração de Raios-X e principalmente por Espectroscopia Micro-Raman realizar a caracterização física dos filmes finos de ZnSe e ZnTe e obter parâmetros estruturais e composicionais dos filmes a fim de correlacionar as nanoestruturas formadas no processo de deposição e as propriedades optoeletrônica dos filmes semicondutores. (AU)