Estudo de transistors de potência IGBT

• Processo: 13/18133-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 2013
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2014
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Sistemas Elétricos de Potência
• Pesquisador responsável: Michele Rodrigues
• Beneficiário: Jefferson Willians Moreira Santiago
• Instituição Sede: Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo. São Bernardo do Campo , SP, Brasil
• Assunto(s): Eletrônica de potência Semicondutores Simulação numérica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Chaveamento | Dispositivos Semicondutores | eletrônica de potência | Igbt | Dispositivos semicondutores

Resumo

Este trabalho de iniciação científica tem como objetivo estudar transistores de potência em especial o IGBT. Serão estudadas suas principais características estáticas e dinâmicas através de simulações numéricas e medidas experimentais. A estrutura física destes transistores também será analisada, a fim de analisar o impacto que variações em sua estrutura podem causar em seu funcionamento como chave.