Dispositivos optoeletrônicos baseados em estruturas semicondutoras

• Processo: 15/23786-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2016
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 2018
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Acordo de Cooperação: Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
• Pesquisador responsável: Marcos Henrique Degani
• Beneficiário: Wojciech Julian Pasek
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências Aplicadas (FCA). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Limeira , SP, Brasil
• Assunto(s): Pontos quânticos Semicondutores Óptica eletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Absorção | Célula Solar | Eficiência | foto-corrente | pontos quânticos | propriedades eletrônicas e de transporte

Resumo

Células solares de banda intermediária é um novo conceito proposto para que haja a absorção da maior parte do espectro solar em uma única célula. Uma maneira de se implementar essa banda intermediária é introduzir camadas de pontos quânticos em uma matriz semicondutora de forma que os níveis eletrônicos confinados desses pontos quânticos gerem uma banda de energia entre as bandas de valência e de condução do material hospedeiro, possibilitando a absorção da parcela de fótons com energia inferior ao gap da camada ativa. Neste projeto estudaremos células solares de banda intermediária utilizando estruturas semicondutoras contendo pontos quânticos. Para podermos descobrir as peculiaridades do sistema que aumentem a eficiência da célula, precisamos inicialmente calcular a estrutura de bandas da estrutura de uma forma realista. Isso significa incluir nos cálculos o formato dos pontos quânticos, tensão devido a interfaces de diferentes materiais, etc. O objetivo deste projeto é encontrar uma célula solar construída de um nanosistema semicondutor onde a eficiência seja superior às células solares utilizadas hoje, conhecidas como células tandem e que também são fabricadas com semicondutores III-V. (AU)

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

PASEK, W. J.; MAIALLE, M. Z.; DEGANI, M. H.. Application of the Landau-Zener-Stuckelberg-Majorana dynamics to the electrically driven flip of a hole spin. Physical Review B, v. 97, n. 11, MAR 13 2018. (15/23786-5)

PASEK, W. J.; MAIALLE, M. Z.; DEGANI, M. H.. Application of the Landau-Zener-Stuckelberg-Majorana dynamics to the electrically driven flip of a hole spin. PHYSICAL REVIEW B, v. 97, n. 11, p. 14-pg., 2018-03-13. (15/23786-5)