| Processo: | 17/07557-1 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Mestrado |
| Data de Início da vigência: | 01 de novembro de 2017 |
| Data de Término da vigência: | 30 de junho de 2019 |
| Área de conhecimento: | Engenharias - Engenharia Elétrica - Telecomunicações |
| Pesquisador responsável: | Lúcia Akemi Miyazato Saito |
| Beneficiário: | Maria Cecília Schineider Araújo |
| Instituição Sede: | Instituto Mackenzie de Pesquisas em Grafeno e Nanotecnologias (Mackgraphe). Universidade Presbiteriana Mackenzie (UPM). Instituto Presbiteriano Mackenzie. São Paulo , SP, Brasil |
| Vinculado ao auxílio: | 12/50259-8 - Grafeno: fotônica e opto-eletrônica: colaboração UPM-NUS, AP.SPEC |
| Assunto(s): | Fotônica Fibra óptica Grafenos Circuitos de chaveamento Comunicação óptica |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Chaveamento Elétrico | dispositivo eletroóptico | fibra óptica | Grafeno | Modulador | Fotônica e Comunicações Ópticas |
Resumo O objetivo deste projeto é desenvolver um processo de fabricação e caracterização de modulador eletro-óptico baseado em grafeno com a estrutura de um FET - Field Effect Transistor (transistor de efeito de campo) sobre um guia de onda, onde é injetada tensão elétrica de gate (Vg) sobre o dispositivo a fim de modular o sinal óptico. O modulador óptico será composto por uma folha de grafeno CVD - Chemical Vapor Deposition (deposição química a vapor) transferido para a lateral polida de uma fibra óptica, conhecida como fibra óptica de perfil D e coberto por líquido iônico com a função de dielétrico e contato de gate. Esse conjunto será acomodado sobre um substrato vítreo entre dois contatos metálicos, que terão a função de source e drain. Para avaliar o desempenho de um modulador eletro-óptico de grafeno será necessário considerar três parâmetros importantes: a frequência de operação (f), a tensão de gate (Vg) e a profundidade de modulação (Pmod), cuja variável é calculada pela diferença de absorção entre os dois modos de propagação, TE e TM. (AU) | |
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