| Processo: | 17/15144-9 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |
| Data de Início da vigência: | 01 de março de 2018 |
| Data de Término da vigência: | 31 de julho de 2021 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Química - Físico-química |
| Pesquisador responsável: | Lucia Helena Mascaro Sales |
| Beneficiário: | Marcos Antonio Santana Andrade Junior |
| Instituição Sede: | Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil |
| Vinculado ao auxílio: | 13/07296-2 - CDMF - Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais, AP.CEPID |
| Bolsa(s) vinculada(s): | 18/26005-2 - Calcogenetos dopados com metais para aplicação em células solares de filmes finos processados a partir de soluções, BE.EP.PD |
| Assunto(s): | Fotoeletroquímica Células solares Calcogeneto Filmes finos Metais de transição Semicondutores (físico-química) |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | bandas intermediárias | calcogenetos | Células Solares | semicondutores | Fotoeletroquímica |
Resumo Células solares de bandas intermediárias (IBSC) têm sido propostas como dispositivos capazes de ultrapassar os limites de eficiência de conversão de energia. Neste tipo de dispositivo, os fótons com energia inferior à energia de band-gap serão bem aproveitados se, a coleção de estados eletrônicos permitidos dentro do band-gap do material da camada absorvedora, dividir efetivamente o gap principal em dois band-gaps menores. O calcogeneto ternário, CuGaS2, possui um amplo band-gap (2,4 eV), que favorece a utilização deste material para obtenção de semicondutores com bandas intermediárias a partir de sua dopagem com metais de transição. Neste projeto, a dopagem da calcopirita com elementos V, Nb, Sb e Bi, mais abundantes e menos tóxicos do que os elementos tradicionais utilizados em células solares de filmes finos, deve resultar na formação de bandas intermediárias isoladas e parcialmente preenchidas capazes de aumentar a promoção de elétrons da banda de valência ou da banda intermediária para a banda de condução. A aplicação dos semicondutores dopados com os metais como camada absorvedora resultará em dispositivos fotovoltaicos de maior eficiência. Filmes finos de CuGaS2 dopados e não dopados serão preparados por eletrodeposição ou por spray da solução de nanopartículas precursoras. A eficiência das células solares será analisada em função do tipo e da concentração do metal dopante. Além disso, serão estudados o comportamento e posição das bandas intermediárias e os mecanismos de transferência de carga nas células solares. (AU) | |
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COMPOSIÇÃO PARA FILMES FINOS CERÂMICOS, PROCESSO DE OBTENÇÃO DE RESINA PARA FILMES FINOS CERÂMICOS SOBRE SUBSTRATO DE VIDRO/FTO E FILMES FINOS CERÂMICOS SOBRE SUBSTRATO DE VIDRO/FTO OBTIDOS BR 10 2019 025561 7 - Fundação Universidade Federal de São Carlos (UFScar) ; UNIVERSIDADE FEDERAL DE ALFENAS - UNIFAL-MG . Jeferson Almeida Dias; Marcos Antonio Santana Andrade Junior; Márcio Raymundo Morelli; Rosario Elida Suman Bretas; Hugo Leandro Sousa Dos Santos; Lucia Helena Mascaro Sales; Tania Regina Giraldi - 01 de janeiro de 2019