Análise das emissões ópticas do plasma e das taxas de crescimento em filmes de TiO2

• Processo: 18/23825-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 2019
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2019
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Pesquisador responsável: Jose Humberto Dias da Silva
• Beneficiário: João Saccoman
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Assunto(s): Tecnologia biomédica Transdutores para aplicações biomédicas Pulverização catódica Filmes finos Dióxido de titânio Fotocatálise
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: crescimento de filmes finos | dióxido de titânio | emissão óptica | plasmas | Sputtering reativo | taxa de crescimento | Crescimento de filmes finos

Resumo

Filmes de dióxido de titânio (TiO2) apresentam interesse atual em aplicações biomédicas, em especial para o recobrimento de superfícies de peças usadas em implantes ósseos de última geração e em processos fotocatalíticos. Na presente pesquisa, filmes de TiO2 serão depositados por sputtering reativo usando alvo de titânio metálico e atmosferas compostas por O2 e Ar. Os espectros de emissão óptica do plasma serão monitorados durante o crescimento dos filmes. Em especial, linhas escolhidas do espectro do Ar e do Ti serão monitoradas em função do tempo de crescimento, juntamente com a linha de emissão do oxigênio em 777.4 nm. Durante o crescimento, as taxas de deposição dos filmes, em função do fluxo dos gases e da potência do processo, serão medidas utilizando microbalança de cristal de quartzo. Estas serão comparadas com as medidas das emissões ópticas selecionadas. As taxas de deposição e as emissões ópticas serão empregadas para analisar detalhadamente o processo de crescimento dos filmes de TiO2 visando sua otimização.