| Processo: | 20/15786-3 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado Direto |
| Data de Início da vigência: | 01 de abril de 2021 |
| Data de Término da vigência: | 31 de agosto de 2024 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física |
| Pesquisador responsável: | Thiago Pedro Mayer Alegre |
| Beneficiário: | Pedro Vinicius Pinho Nascimento |
| Instituição Sede: | Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil |
| Vinculado ao auxílio: | 18/15580-6 - Cavidades optomecânicas rumo ao acoplamento forte com fótons únicos, AP.JP2 |
| Assunto(s): | Optomecânica Fotônica Acoplamento (física) Semicondutores Equipamentos eletromagnéticos Silício Nitreto de silício |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Fotonica | Optomecânica | Optomecânica |
Resumo Este projeto tem como proposta desenvolver estruturas micro e nanométricas que irão explorar diferentes geometrias e materiais para melhorar a interação não linear entre fótons e fônons. Nosso objetivo é aprimorar o acoplamento optomecânico, entender os efeitos limitantes de cada material e, aproveitando as novas capacidades dos materiais, criar conhecimentos fundamentais e aplicados em dispositivos fotônicos integrados. Como objetivo final, serão fabricados dispositivos com acoplamento altamente dissipativo e dispersivo baseado em ligas semicondutoras III-V, silício ou nitreto de silício. No caso ativo, o aluno irá interagir com outros membros do grupo e de outros grupos para estudar e se possível demonstrar o acoplamento entre oscilações de relaxação na emissão de laser com vibrações optomecânicas. O projeto contará com o projeto das estruturas suportado por simulações numéricas e a conseqüente fabricação utilizando técnicas usuais para dispositivos Silicon-on-Insulator (SOI). As caracterizações das fontes serão feitas por meio de medidas de transmissão ou reflexão em fibras ópticas afuniladas. A maior parte da fabricação e preparação das amostras será realizada no Laboratório de Pesquisa de Dispositivos do IFGW - UNICAMP, no Centro de Componentes Semicondutores e Nanotecnologias - UNICAMP, e no MackGraphe Lab - Mackenzie. (AU) | |
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