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Medidas do acoplamento magnetoelétrico de amostras de compósito multiferróico em altas frequências

Processo: 21/14358-0
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Data de Início da vigência: 01 de outubro de 2022
Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2023
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Alexandre José Gualdi
Beneficiário:Leonardo dos Santos Batacline
Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Materiais ferroelétricos   Dispositivos eletrônicos   Efeito magnetoelétrico   Magnetismo   Ressonância magnética
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Compósito Multiferróico | Magnetismo | Magnetoeletricidade | Magnetoestricção | Materiais Magnetoeletricos

Resumo

Este projeto de iniciação científica tem como objetivo estudar o comportamento do acoplamento magnetoelétrico em amostras de compósitos multiferróicos em altas frequências. Nesses materiais, a magnetoeletricidade esse efeito surge devido ao acoplamento mecânico entre as duas fases: a deformação magnetoestrictiva da fase ferromagnética causa um stress na fase ferroelétrica, alterando seu estado de polarização. Dessa forma, é esperado que altos valores para o coeficiente magnetoelétrico sejam observados quando a frequência de excitação do campo magnético AC é a mesma que a frequência de ressonância eletromecânica (EMR) desses compósitos. Em particular, o estudo focará em amostras sinterizadas com o ferroelétrico KxN(1-x)NbO3 (KNN), que tem como principal característica ser um ferroelétrico livre de chumbo. Para a fase ferromagnética, será utilizada a hexaferrita de Bário, BaFe12O19. Esse estudo será feito através de medidas de magnetoeletricidade em altas frequências, próxima à EMR, e com a aplicação de um campo magnético DC bias. Dessa forma, espera-se uma melhor compreensão do efeito magnetoelétrico nessa faixa de frequência e, com isso, possibilitar a utilização desses materiais em dispositivos eletrônicos.(AU)

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