| Processo: | 22/05158-0 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado Direto |
| Data de Início da vigência: | 12 de abril de 2023 |
| Data de Término da vigência: | 29 de março de 2024 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Química - Química Analítica |
| Pesquisador responsável: | Paulo Roberto Bueno |
| Beneficiário: | Edgar Fabian Pinzon Nieto |
| Supervisor: | João Pedro dos Santos Hall de Agorreta de Alpuim |
| Instituição Sede: | Instituto de Química (IQ). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Araraquara. Araraquara , SP, Brasil |
| Instituição Anfitriã: | International Iberian Nanotechnology Laboratory (INL), Portugal |
| Vinculado à bolsa: | 18/24525-9 - Eletrônica e eletroquímica em escala nanométrica: fundamentos e aplicações, BP.DD |
| Assunto(s): | Eletroquímica Eletroanalítica Grafenos Transistores de efeito de campo |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | capacitância quântica | condutância | Corrente Alternada | deteção quântica | Grafeno | transistor de efeito de campo | Eletroquímica e Eletroanalítica |
Resumo Os transistores de efeito de campo de grafeno com porta eletrolítica (TGPE) são usados com sucesso para o desenvolvimento de plataformas biosensoras com características de sensibilidade superior, comparadas com os dispositivos semicondutores convencionais. No entanto, o princípio operacional dos dispositivos TGPE convencionais está baseado em fenômenos eletrostáticos, o que limita consideravelmente o aproveitamento das propriedades quânticas intrinsecamente presentes no grafeno. Portanto, o desenvolvimento de novas configurações TGPE que levem em conta as propriedades quânticas são necessárias para a obtenção de dispositivos analíticos de alto desempenho. Nós planejamos aqui o desenvolvimento deum arranjo de dispositivos TGPE operado em modo CA (corrente alternada) [onde os terminais de dreno e fonte são acionados por uma corrente de deslocamento ou ressonância em vez de um modo CD (corrente direta) de transporte]. Dentro desta arquitetura TGPE, a modificação da porta com uma monocamada automontada eletroativa pode aumentar a sensibilidade do dispositivo usando o fenômeno ressoante de transferência eletrônica presente nesta junção molecular. Neste caso, os processos de transporte de elétrons e armazenamento de energia, associados aos estados redox, são governados pela resposta da capacitância quântica da interface. A utilização de receptores alvo de ADN visa desenvolver ensaios genômicos baseado numa configuração TGPE quântica. (AU) | |
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