Desenvolvimento de semicondutores a base de Nb2O5 decorados Zn para fotoconversão de CO2

• Processo: 23/10761-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 2023
• Data de Término da vigência: 25 de agosto de 2024
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Química - Tecnologia Química
• Pesquisador responsável: Francisco Guilherme Esteves Nogueira
• Beneficiário: Laura Emmendoerfer Navarro
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 22/02980-1 - Desenvolvimento de semicondutores para fotoconversão de CO2 em combustíveis solares e produtos para indústria química, AP.PNGP.PI
• Assunto(s): Dióxido de carbono Nióbio Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dióxido de carbono | fotoconversão de CO2 | Niobio | semicondutores | Materiais Fotocatalíticos

Resumo

O objetivo principal deste projeto é desenvolver fotocatalisadores robustos, eficientes e de baixo custo a base de óxido de nióbio (Nb2O5), decorados com Zn em diferentes teores mássicos utilizando método hidrotérmico. Os materiais desenvolvidos serão aplicados para a fotorredução do CO2, onde os testes fotocatalíticos serão realizados utilizando duas configurações de fotorreatores em diferentes fases (sólido-líquido e sólido-gás), visando um aumento na eficiência do processo. O desenvolvimento desse trabalho será baseado na patente depositada pelo proponente intitulada "Nano fotocatalisadores de pentóxido de nióbio dopados com zinco (Nb2O5:Zn) de alta atividade no visível e método de obtenção": Data do depósito 20/09/2018 (BR 102018069217-8).