Caracterização elétrica do MISHEMT para aplicação em blocos analógicos de altas frequências

• Processo: 23/14492-4
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2024
• Situação: Interrompido
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica
• Pesquisador responsável: Paula Ghedini Der Agopian
• Beneficiário: Bruno Godoy Canales
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Bolsa(s) vinculada(s): 24/23864-5 - Medições especiais para a caracterização elétrica de MISHEMTs/HEMTs GaN-sobre-Si do estado-da-arte, BE.EP.DR
• Assunto(s): Técnicas de caracterização elétrica GAN Microeletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: AlGaN | AlN | Analog | Caracterização Elétrica | GaN | Mishemt | Microeletrônica

Resumo

A constante evolução da tecnologia depende, em grande parte, do desenvolvimento contínuo de dispositivos semicondutores. Esses componentes eletrônicos são essenciais para o funcionamento de uma ampla gama de dispositivos, desde smartphones e computadores até sistemas de comunicação e aplicações industriais. Um dos avanços recentes e promissores nesse campo é a tecnologia MISHEMT (Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistor), que tem despertado grande interesse na comunidade científica e na indústria.A evolução dos transistores desempenhou um papel crucial no desenvolvimento de circuitos analógicos de alta frequência (AF) e de média potência. Ao longo do tempo, os transistores passaram por diversas gerações, desde os Transistores Bipolares de Junção (BJT) até os Transistores de Efeito de Campo (FET), como o Transistor de Efeito de Campo do Tipo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET). No entanto, para aplicações em RF e média potência, os Transistores de Alta Mobilidade dos Elétrons (HEMT) tornaram-se uma escolha preferencial devido às suas excelentes características de linearidade de ganho, baixo ruído e alta velocidade de chaveamento. Os dispositivos HEMT e MISHEMT são baseados em heterojunção, que proporciona maior mobilidade dos portadores de carga e oferece vantagens significativas em relação aos transistores convencionais.Este projeto de pesquisa propõe, de forma inédita, a caracterização do MISHEMT visando sua aplicação em blocos analógicos de altas frequências e médias potências, o que será realizado através de medidas elétricas e simulação de dispositivos e circuitos. Atualmente este tipo de estudo vem se mostrando bastante relevante pois pode possibilitar uma maior versatilidade em nível de dispositivo na concepção de circuitos modernos com característica desejada, o que possibilita avanços significativos nas mais diversas áreas, como aeroespacial e telecomunicações. Está também planejado um período de intercâmbio em instituto de pesquisa internacional para aprofundar os conhecimentos na área.