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Investigação de fotônica integrada usando o material 2D MoTe2 1T' como absorvedor saturável na banda-C.

Processo: 24/08855-0
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2024
Data de Término da vigência: 31 de julho de 2025
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Newton Cesario Frateschi
Beneficiário:Gustavo Henrique Magro
Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:18/25339-4 - Dispositivos fotônicos integrados, AP.TEM
Assunto(s):Fotônica integrada
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Hybrid integration | Integrated Photonics | Transition metal Dichalcogenides | Fotônica integrada

Resumo

A fotônica de silício é uma plataforma importante para integração de funções ópticas em umchip. No entanto, o silício, em geral, é muito limitado no que diz respeito ao processamento em óptica ativa e não linear. Podemos então utilizar na mesma plataforma diferentes materiais, como monocamadas de MoTe2 1T' para superar essas dificuldades. Neste trabalho, propomos investigar o uso de MoTe2 1T'como absorvedor saturável integrado a estruturas fotônicas de silício.

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