Simulação 3D de espalhamento térmico difuso de raios X em monocristais

• Processo: 25/01027-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 2025
• Data de Término da vigência: 31 de março de 2026
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Sérgio Luiz Morelhão
• Beneficiário: Paulo Henrique Vicente da Silva
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Radiação síncrotron Semicondutores Cristalografia
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Defeitos em Cristais | Dispersão de fônons | Modelamento estrutural | Radiação Síncrotron | semicondutores | termoeletricos | cristalografia

Resumo

Este projeto de Iniciação Científica (IC) visa contribuir para as pesquisas em dinâmica estrutural de materiais funcionais, utilizando técnicas avançadas de espalhamento difuso de raios X. A compreensão das mudanças estruturais em resposta a estímulos externos é crucial para o desenvolvimento de materiais inovadores em áreas como armazenamento de energia, catálise, eletrônica e materiais quânticos. As pesquisas utilizam radiação síncrotron de alta energia e instrumentação de última geração para realizar mapeamento 3D do espaço recíproco, permitindo a análise de materiais complexos, incluindo filmes finos e cristais únicos. Destaques para materiais termoelétricos (como skutteruditas), catalíticos (como nanopartículas de céria) e filmes finos epitaxiais (como MnBi2Te4), com o objetivos de elucidar mecanismos de espalhamento de fônons, formação de defeitos e dinâmica de spin. Os resultados deste projeto de IC contribuirão no modelamento das dinâmicas estruturais através da simulação computacional do espalhamento difuso térmico.