CONSTRUÇÃO DE MEMÓRIAS RESISTIVAS COM NANOFIOS DE SnO2

• Processo: 25/13126-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2025
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2026
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adenilson José Chiquito
• Beneficiário: Luiz Felipe Curci Xavier
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Dióxido de estanho Nanofios Nanotecnologia
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dióxido de estanho | memérias resistivas | Nanofios | Nanotecnologia

Resumo

A presente proposta tem como objetivo a construção e o estudo de dispositivos atuando como memórias resistivas (memristors) baseados em nanofios semicondutores monocristalinos. As nanoestruturas de interesse são nanofios de dióxido de estanho (SnO2). Memristors construídos com nanofios podem se tornar uma plataforma muito atrativa para estudos relacionados com diferentes efeitos que controlam o comportamento dos dispositivos. Experimentos de transporte de cargas deverão ser conduzidos permitindo a análise dos mecanismos de condução que levam ao comportamento não linear dos dispositivos explorando a influência da presença de vacâncias e das propriedades das interfaces metal-semicondutor que definem os contatos elétricos.