Adsorção e dissociação de átomos e moléculas em superfícies semicondutoras e seu papel como precursor no crescimento epitaxial de heteroestruturas e na formação de interfaces

• Processo: 00/10976-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de janeiro de 2001
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 2002
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Armando Corbani Ferraz
• Beneficiário: Ronei Miotto
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Teoria do funcional da densidade
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Barreiras De Ativacao | Energia De Dissociacao | Funcional Da Densidade | Modelo Rrkm | Pseudopotenciais

Resumo

Dentro deste projeto pretendemos desenvolver um modelo que possibilite a determinação das barreiras de energia e o caminho seguido pelos constituintes de uma molécula, quando de sua dissociação sobre uma superfície semicondutora, bem como seu papel como precursor no crescimento epitaxial de heteroestruturas e na formação de interfaces. Essas grandezas serão determinadas a partir do mapeamento da energia potencial de superfície através de cálculos de primeiros princípios. A inclusão dos efeitos relacionados com variações térmicas nos processos acima citados ocorrerá através de um modelo estatístico para a interação de moléculas com superfícies, baseado no modelo dinâmico de reações unimoleculares RRKM. (AU)