Espalhamento Raman em estruturas semicondutoras: soluções sólidas, sistemas desordenados e de baixa dimensionalidade e cerâmicas ferroelétricas

• Processo: 97/04906-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 1997
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 1999
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Paulo Sergio Pizani
• Beneficiário: Carlos Eduardo Maduro de Campos
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Espectroscopia Raman Estresse térmico
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Desordem Estrutural | Desordem Quimica | Espectroscopia Raman | Estresse | Semicodutores

Resumo

Estudar, através da análise detalhada do espectro Raman (regras de seleção, posição e largura de linha), os efeitos de desordem química e estrutural superficiais provocados por tratamentos térmicos em semicondutores III-V como GaAs, GaSb, etc; estudar os efeitos de estresses devido a diferenças entre os coeficientes de expansão térmica entre o substrato semicondutor e elemento do grupo V (As, Sb) cristalizado na região superficial através dos espectros Raman obtidos desde a temperatura ambiente até 10 K; levantar o perfil de desordem através da análise dos espectros obtidos com diferentes comprimentos de onda da luz excitadora. (AU)