Estudo de transições de fase e geração de fases metaestáveis induzidas por pressão não hidrostática em GaAs usando espalhamento Raman

• Processo: 05/60837-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 2006
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2007
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Paulo Sergio Pizani
• Beneficiário: Daniel Zini Rossatto
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Alta pressão Pressão hidrostática Efeito Raman Transição de fase Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Altas Pressoes | Espalhamento Raman | Semicondutores | Transicao De Fase

Resumo

Estudar e caracterizar, via espalhamento Raman, as várias fases estruturais metaestáveis em GaAs geradas por aplicação de pressões não hidrostáticas. Pressões não hidrostáticas serão aplicadas às amostras por impacto mecânico, para diferentes velocidades de impacto do petardo. (AU)