Estudo de processos na interface Si/SiO2 e de estruturas de Si em matrizes de SiO2

• Processo: 02/09226-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 2002
• Data de Término da vigência: 29 de fevereiro de 2004
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adalberto Fazzio
• Beneficiário: Wanderlã Luis Scopel
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 01/13008-2 - Simulação computacional de materiais nanoestruturais, AP.TEM
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Calculos Ab Inito | Estrutura Eletronica | Interfaces | Oxinitretos | Simulacao Computacional | Sio2

Resumo

O objetivo do projeto de pesquisa é estudar teoricamente, ao nível microscópico, processos que são importantes para oxidação e nitredação que ocorrem na interface Si/SiO2. Procura-se entender quais são as configurações mais estáveis para as diferentes espécies nesta interface, e através disso espera-se obter informações sobre a estrutura da interface bem como sobre a dinâmica dos processos que nela ocorrem. Além disso, pretende-se estudar nanocristais de Si embebidos em uma matriz amorfa de SiO2, com o objetivo de entender a estrutura geométrica da interface Si/SiO2 nesse sistema, bem como sua estrutura eletrônica. (AU)