Estudo de processos em Si/SiO2

• Processo: 00/00564-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 2000
• Data de Término da vigência: 31 de março de 2004
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adalberto Fazzio
• Beneficiário: Walter Manuel Orellana Muñoz
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Métodos ab initio Estrutura eletrônica Dióxido de silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Calculos Ab Initio | Difusao De O2 | Estrutura Eletronica | Interfaces | Sio2 | Superficies

Resumo

O objetivo do projeto de pesquisa é estudar teoricamente, ao nível microscópico, processos que são importantes para o crescimento de SiO2 em Si(100). Procura-se entender não só as propriedades estáticas, como configurações estruturais e barreiras de energia, mas também a dinâmica dos referidos processos. Os problemas específicos que pretendemos estudar são: (1) difusão de O2 em SiO2; (2) quebra da ligação O-O e formação das ligações Si-O na superfície de Si e na interface Si/SiO2. (AU)