Estudo de processos em Si/SiO2

• Processo: 00/00564-1
• Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Vigência (Início): 01 de abril de 2000
• Vigência (Término): 31 de março de 2004
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adalberto Fazzio
• Beneficiário: Walter Manuel Orellana Muñoz
• Instituição-sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Métodos ab initio Estrutura eletrônica Dióxido de silício

Resumo

O objetivo do projeto de pesquisa é estudar teoricamente, ao nível microscópico, processos que são importantes para o crescimento de SiO2 em Si(100). Procura-se entender não só as propriedades estáticas, como configurações estruturais e barreiras de energia, mas também a dinâmica dos referidos processos. Os problemas específicos que pretendemos estudar são: (1) difusão de O2 em SiO2; (2) quebra da ligação O-O e formação das ligações Si-O na superfície de Si e na interface Si/SiO2. (AU)