Estudos de distorções de rede por espectroscopia Raman em sistemas com forte acoplamento elétron fônon

• Processo: 96/08522-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 1997
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Jose Antonio Sanjurjo
• Beneficiário: Herculano da Silva Martinho
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Materiais supercondutores Materiais cerâmicos Suscetibilidade Tratamento térmico Espectroscopia Raman Efeito Raman Raios X
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Raios-X | Raman | Supercondutores | Susceptibilidade

Resumo

Preparação de amostras cerâmicas e tratamentos térmicos com substituição isotópica (016-018). Medidas de espalhamento Raman. Caracterização por raios-x. Medidas de magnetização e susceptibilidade DC e AC. (AU)