Fontes de larga banda espectral com emissao potente na regiao do infravermelho proximo (banda c).

• Processo: 04/02542-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2004
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2005
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Newton Cesario Frateschi
• Beneficiário: Tacita Ansanello Ramos
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): LED Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Diodo Emissor De Luz | Dispositivos Semicondutores | Imageamento Subcutaneo | Laser De Semicondutor | Realimentacao Optica

Resumo

O projeto busca desenvolver fontes de emissão não coerentes com banda larga de emissão na banda C (1530nm -1560 nm). O trabalho será dividido no estudo básico de funcionamento de diodos fotoemissores, na fabricação de dispositivos e, finalmente, na sua caracterização óptica e elétrica numa primeira rodada de desenvolvimento. Especialmente nesta primeira etapa, nos concentraremos em circunvenciar os problemas de dissipação Joule e realimentação óptica, os quais são problemas fundamentais encontrados na utilização de semicondutores com banda larga. Paralelamente um estudo para aplicação deste dispositivo na área biomédica, possivelmente na área de imageamento tumoral, será realizado de tal forma a avaliar as possibilidades e desafios tecnológicos no desenvolvimento de uma ferramenta de investigação nesta área. (AU)