| Processo: | 07/58989-7 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Iniciação Científica |
| Data de Início da vigência: | 01 de março de 2008 |
| Data de Término da vigência: | 31 de dezembro de 2010 |
| Área de conhecimento: | Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos |
| Pesquisador responsável: | Fenelon Martinho Lima Pontes |
| Beneficiário: | Gilda Hisae Mabuchi |
| Instituição Sede: | Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Propriedades elétricas Síntese química Filmes finos |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Estrutura Perovskite | Filmes Finos | Forno De Pressao | Propriedades Eletricas | Sintese Quimica |
Resumo O rápido crescimento do mercado de dispositivos eletrônicos portáteis, com aplicações em diferentes áreas (telecomunicações, medicina, engenharia, controle ambiental), criou uma grande demanda por fontes de potência compactas leve e, sobretudo, de baixo custo. Essa demanda levou ao desenvolvimento de tecnologia de filmes finos nanoestruturados para a obtenção de componentes eletroeletrônico, por exemplo, memórias de computador. Estes dispositivos são empregados em "notebooks", circuitos integrados, telefones celulares, etc. Portanto, pretende-se avaliar o efeito da pressão de oxigênio (acima da pressão atmosférica) sob o grau de cristalização de filmes finos ferroelétricos nanoestruturados. Neste estudo a cristalização, microestrutura, fase estrutura e propriedades elétricas serão avaliadas em função de diferentes pressões de oxigênio (10, 40, 80 e 100atm) induzidas num forno de pressão. A ação de altas pressões de oxigênio para formar o sistema Pb1-xSrxTiO3 será analisada ainda com o objetivo de avaliar o seu efeito sobre a disposição e orientação dos domínios ferroelétricos, visando obter filmes com propriedades compatíveis para uso em memórias ferroelétricas. (AU) | |
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