Estudo da influencia da dinamica entre eletrodos do reator "pecvd" nascaracteristicas dos filmes de oxido de silicio.

• Processo: 00/10295-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 2000
• Data de Término da vigência: 30 de novembro de 2001
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica
• Pesquisador responsável: Ana Neilde Rodrigues da Silva
• Beneficiário: Monica Carolina Cuvardic
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD) Microfabricação Óxido de silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Camada Sacrificial | Isolante | Microfabricacao | Oxido De Silicio | Pecvd

Resumo

Neste trabalho será estudada a influência da geometria da câmara de deposição PECVD, através da variação da distância entre eletrodos, nas características físicas dos filmes do óxido de silício. O objetivo é depositar filmes de óxido de silício com baixo estresse, alta taxa de deposição e boa uniformidade para serem utilizados como camada sacrifical em microfabricação de sensores. (AU)