Preparação e caracterização de cerâmicas de Ba(Ti1-yZryO3) para aplicação em DRAMs e FeRAMs a partir do método dos precursores poliméricos

• Processo: 03/13994-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2004
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 2004
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Química - Físico-química
• Pesquisador responsável: José Arana Varela
• Beneficiário: Bruno Santos Souza
• Instituição Sede: Instituto de Química (IQ). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Araraquara. Araraquara , SP, Brasil
• Assunto(s): Sinterização Cerâmica (materiais cerâmicos) Ferroeletricidade Dielétricos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Bati 1-Yzryo3 | Ceramicas | Dram E Ferams | Precursores Polimericos | Sinterizacao

Resumo

O desenvolvimento de memórias ferroelétricas tem atraído grande interesse em indústrias eletrônicas, automobilísticas e aeroespaciais. Recentemente, o material Ba(Ti1-yZryO3) vem sendo estudado para aplicações em memórias e dispositivos de armazenamento de cargas em substituição às composições à base de bismuto e chumbo (SrBi2Ta2O9 - SBT, SrBi2Nb2O9 - SBN e PbZrO.5Ti0.5O3). É bem sabido que composições com concentrações de zircônio inferiores a 20 mol% melhoram as propriedades ferroelétricas e dielétricas do material devido à formação de solução sólida extensiva entre os titanatos de bário e de zircônio. Neste projeto de pesquisa, pretende-se sintetizar pelo método dos precursores poliméricos o Ba(Ti1-yZryO3) com y variando de 0,05 a 0,2 e avaliar o efeito do aumento da concentração de Zr nas propriedades morfológicas, estruturais e elétricas das cerâmicas obtidas. A caracterização estrutural e microestrutural será realizada por difração de raios-X (DRX) e microscopia eletrônica de varredura (MEV). As propriedades elétricas serão avaliadas com medidas de constante dielétrica em função da freqüência, densidade de corrente em função da voltagem e por ciclos de histerese. Espera-se obter cerâmicas com microestrutura controlada, com alta constante dielétrica e com propriedades ferroelétricas e dielétricas compatíveis para aplicação em memórias FeRAM e DRAM. (AU)