Desenvolvimento de um dispositivo baseado em nanofios de sno2 e in2o3: sensor de luz

• Processo: 09/51667-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2009
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2011
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adenilson José Chiquito
• Beneficiário: Mariana Kayoko Kanashiro
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Transporte eletrônico Óxidos metálicos Nanofitas Nanofios
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Nanofios | Nanofitas | Oxidos Metalicos | Transporte Eletronico

Resumo

O estudo e desenvolvimento de dispositivos semicondutores metálicos baseados em óxidos metálicos como o SnO2, têm-se mostrado altamente promissores na obtenção de novas tecnologias. Tais materiais apresentam-se como excelentes candidatos à construção de diversos dispositivos eletrônicos, particularmente sensores de luz numa faixa que se estende do visível até o ultravioleta. Aqui é proposta a investigação das propriedades eletrônicas e de suas alterações em nanoestruturas construídas a partir dos óxidos acima, usando experimentos nos quais a dependência dos processos de condução de corrente em relação á excitação óptica será analisada. Neste trabalho, as atividades propostas á candidata visam tanto o aprendizado de técnicas básicas para a construção de dispositivos como o estudo das propriedades de interesse para a produção de um sensor de luz. (AU)