Estudo de propriedades eletronicas de nanoestruturas semicondutoras.

• Processo: 07/53275-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 2007
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2010
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adenilson José Chiquito
• Beneficiário: Renan Ramalho Geraldes
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Transporte eletrônico Óxidos Nanotecnologia
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: In2O3 | Nanotecnologia | Oxidos | Transientes | Transporte Eletronico

Resumo

Esta proposta tem como finalidade manter a continuidade do estudo e desenvolvimento de dispositivos, semicondutores e metálicos baseados em óxidos metálicos como o In2O3 e o SnO2, realizados no Laboratório de Semicondutores/DF-UFSCar. Tais materiais apresentam-se como excelentes candidatos à construção de diversos dispositivos eletrônicos, desde de sensores de gás até transistores. Aqui é proposta a investigação das propriedades eletrônicas de nanoestruturas construídas a partir destes óxidos, através do estudo da dependência dos processos de condução de corrente em relação à voltagem, temperatura e tempo. Neste trabalho, as atividades propostas ao candidato visam o tanto o aprendizado de técnicas básicas para a construção de dispositivos e estudo de suas propriedades, como também a análise e interpretação das propriedades eletrônicas apresentadas pelas estruturas. (AU)