Estudos de propriedades eletronicas de nanoestruturas semicondutoras - pontos quanticos auto-organizados.

• Processo: 03/03722-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2003
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2004
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adenilson José Chiquito
• Beneficiário: Marcelo Gustavo de Souza
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Localização
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Capacitancia | Localizacao

Resumo

Este projeto tem como finalidade manter a continuidade do estudo e desenvolvimento de dispositivos semicondutores baseados em nanoestruturas semicondutoras do grupo III-V, realizados no Laboratório de Semicondutores/DF-UFSCar. Aqui é proposta a investigação das propriedades eletrônicas de pontos quânticos auto-organizados de InAs inseridos em uma matriz semicondutora de GaAs ou em uma super-rede de GaAs/AIAs, através do estudo da dependência da capacitância e da corrente em relação à voltagem e temperatura. Para tal fim, serão necessárias a construção e caracterização de dispositivos como junções metal-semicondutor dos tipos retificadora e ôhmica. Neste trabalho, as atividades propostas ao candidato visam o tanto o aprendizado de técnicas básicas para a construção e estudo das propriedades de semicondutores, como também a análise e interpretação das propriedades elétricas apresentadas pelas estruturas, como a capacitância e a corrente. (AU)