Estudo dos processos e de aplicacoes da implantacao ionica em materiais.

• Processo: 99/10402-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 1999
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2003
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Jacobus Willibrordus Swart
• Beneficiário: Marcelo Assaoka Hayashi
• Instituição Sede: Centro de Componentes Semicondutores (CCS). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Caracterização Implantação iônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterizacao | Implantacao Ionica | Juncoes Rasas | Semicondutores

Resumo

O aumento na performance e velocidade de dispositivos eletrônicos com integração em ultra-alta escala (ULSI) é obtida pela redução das suas dimensões. A fabricação de camadas dopadas finas (< 50 nm), com altas concentrações de dopantes eletricamente ativos é um grande desafio tecnológico. A necessidade de controlar essas propriedades dos perfis dopados dirigiu o estudo da implantação iônica para baixas energias, compreensão da difusão anômala rápida de dopantes, e motivou a busca de novas técnicas de dopagem. O uso de implantadores convencionais na produção de junções rasas ainda pode ser estendido, através da avaliação e aplicação de novos métodos que estão sendo reportados. Pretendemos neste projeto, realizar a implantação iônica em Si, assim como sua caracterização, de forma a estabelecer as condições ótimas para produção de junções rasas com eliminação de defeitos, em relação às próprias condições de implantação e de tratamento térmico. Além da produção de junções rasas, realizaremos a dopagem de SiC, como parte do projeto de colaboração entre o CCS/Unicamp e o LME/Poli/USP. (AU)