Corrosão e adesão direta de semicondutores

• Processo: 96/06231-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 1996
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 1997
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: José Roberto Sbragia Senna
• Beneficiário: Antonio Carlos Gracias
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Corrosão Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Corrosao Quimixca | Micromecanica | Semicondutores | Solda Direta | Superficies

Resumo

A interface solido-liquido será observada microscopicamente durante a corrosão de silício em solução básica, visando contribuir para o entendimento do mecanismo de surgimento e evolução de defeitos e rugosidade, e a relação destes com a evolução de hidrogênio na interface. Os efeitos de tratamento químico das superfícies no processo de adesão direta silício - outros materiais serão estudados visando contribuir para a otimização do processo. (AU)