Nanoestruturas autoformadas de inas/inp.

• Processo: 01/09086-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 2001
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 2003
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Mônica Alonso Cotta
• Beneficiário: Humberto Rodriguez Gutierrez
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Pontos quânticos Materiais nanoestruturados Fios quânticos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Compositos Iii-V | Epitaxia | Fios Quanticos | Nanoestruturas | Pontos Quanticos

Resumo

Neste projeto, pretendemos caracterizar sob vários aspectos nanoestruturas de InAs/InP crescidas por epitaxia de feixe químico. Em particular, pretendemos investigar detalhadamente a transição de forma, de fios (1D) para pontos (OD) quânticos de InAs/InP, observada recentemente em nosso laboratório. As amostras serão caracterizadas do ponto de vista estrutural, ótico e elétrico com a intenção de esclarecer aspectos relacionados com a estrutura eletrônica e propriedades de transporte destes sistemas. Serão utilizadas diversas técnicas de caracterização, que permitirão realizar medidas estruturais, elétricas e óticas tanto num conjunto (ensemble) de nanoestruturas (técnicas macroscópicas) quanto em poucas delas (técnicas microscópicas). As técnicas macroscópicas a serem utilizadas são: Difração rasante de elétrons de alta energia (análise estrutural in situ durante o crescimento das amostras), Fotoluminescência (caracterização ótica), Espectroscopia de Capacitância (caracterização elétrica). As técnicas macroscópicas são: Microscopia de Força Atômica (análise estrutural), Microscopia de Força Eletrostática (caracterização elétrica), Microscopia de Tunelamento (caracterização estrutural e elétrica), Microscopia Eletrônica de Transmissão de Alta Resolução (estrutural). (AU)