Deposição de películas de óxidos por PECVD

• Processo: 02/08574-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 2002
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2003
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Pesquisador responsável: Milton Ferreira de Souza
• Beneficiário: Thiago Pantaleao Melo
• Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 98/14270-8 - Centro de Ciências Ópticas e Fotônica, AP.CEPID
• Assunto(s): Deposição de filmes finos Filmes finos Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD) Zircônia
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Cvd | Oxidos | Pecvd | Peliculas | Plasma | Zirconia

Resumo

A técnica de PECVD para deposição de películas permite que o substrato trabalhe com temperaturas relativamente baixas, normalmente inenfiores as temperaturas necessárias para a sinterização por interdifusão ou de reação entre componentes. No presente projeto essa técnica será aplicada para o desenvolvimento de eletrodos de manganatos sobre um substrato de zircônia e, numa segunda etapa, será investigada a possibilidade de preparar compósitos desses dois materiais com composição continuamente variável, compósitos conhecidos como graded materials. Para que o candidato desenvolva experiência nesse tipo de problema, inicialmente se dedicará a deposição de sílica, a partir do TEOS, e de titânia, a partir do isopropóxido correspondente. (AU)