Implantacao de "mn" em "gaas".

• Processo: 00/13861-4
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2001
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 2001
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Maria José Santos Pompeu Brasil
• Beneficiário: Odilon Divino Damasceno Couto Júnior
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Espectroscopia óptica Propriedades ópticas Propriedades magnéticas
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Efeito Kerr Magneto-Optico | Espectroscopia Optica | Ferromagnetico | Propriedades Magneticas | Propriedades Opticas | Semicondutor

Resumo

O objetivo deste projeto é investigar a implantação de Mn em amostras semicondutoras de GaAs. O estudante investigará as camadas implantadas usando fotoluminescência e espalhamento Raman, para analisar suas propriedades ópticas, e medidas de Efeito Kerr magneto-óptico, para analisar suas propriedades magnéticas. (AU)