| Processo: | 99/07874-7 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |
| Data de Início da vigência: | 01 de dezembro de 1999 |
| Data de Término da vigência: | 31 de janeiro de 2002 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | José Roberto Leite |
| Beneficiário: | Marcionilio Teles de Oliveira Silva |
| Instituição Sede: | Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
| Vinculado ao auxílio: | 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V, AP.TEM |
| Assunto(s): | Nitretos Propriedades estruturais Espectroscopia Raman Pontos quânticos Semicondutores |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Espectroscopia Raman | Ligas De Ingfan | Nitretos | Pontos Quanticos | Propriedades Estruturais | Semicondutores |
Resumo Os semicondutores GaN e InN são extremamente importantes tanto teórico quanto experimentalmente. Eles são considerados como materiais únicos na optoeletrônica. A emissão estimulada opticamente excitada já foi obtida em camadas crescidas por MbE de c-GaN, e evidências de formação de pontos quânticos auto-organizados em ligas de InGaN já foram observadas. Neste projeto, pretendemos usar métodos espectroscópicos para investigar as ligas de InGaN e estrutura de baixa dimensionalidade baseadas nestas ligas. (AU) | |
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