Espectroscopia raman de nitretos e de heteroestruturas semicondutoras.

• Processo: 01/07711-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2001
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2002
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: José Roberto Leite
• Beneficiário: Virgilio de Carvalho dos Anjos
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V, AP.TEM
• Assunto(s): Poços quânticos Desordem
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Desordem | Pocos Quanticos | Raman Eletronico

Resumo

Neste projeto pretendemos calcular espectros Raman eletrônicos de GaN e de poços quânticos de AlGaAs-GaAs dopados seletivamente. Nos nitretos com dopagem tipo-n (bulk) espectros polarizados ressonantes com um gap óptico do material serão obtidos a fim de se estudar a presença de plasmons super-amorteéidos e o acoplamento elétron-fônon sob a presença de desordem estrutural. Para isso serão consideradas amostras com vários graus fie dopagem. No mesmo tipo de estrutura calcularemos espectros Raman em extrema ressonância no sentido de estudar efeitos de renormalização do band-gap fruto da dopagem. Os resultados deverão ser comparados com dados experimentais. No caso dos poços quânticos espectros polarizados e despolarizados em extrema ressonância com o gap fundamental do GaAs serão obtidos a fim de estudar as excitações elementares do gás de elétrons, coletivas (CDE e SDE) e de partícula independente, sob a ação de efeito Stark. Da mesma forma pretendemos que os dados sejam comparados com resultados experimentais. (AU)