| Processo: | 99/03737-5 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |
| Data de Início da vigência: | 01 de julho de 1999 |
| Data de Término da vigência: | 30 de junho de 2000 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | José Roberto Leite |
| Beneficiário: | Renato Penha Camata |
| Instituição Sede: | Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Pontos quânticos Nitreto de gálio |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Ablacao Laser | Nano-Cristais Semicondutores | Nitreto De Galio | Nitreto De Indio | Pontos Quanticos | Processamento De Aerossois |
Resumo Propomos a fabricação e o estudo sistemático das propriedades de nano-cristais semicondutores do grupo III-nitretos (GaN, InN, AlN, BN). A proposta envolve síntese e processamento de nano-cristais a partir de aerossóis formados por ablação laser. As amostras obtidas serão caracterizadas por microscopia eletrônica de transmissão, espectroscopias Raman e de foto-luminescência e microscopia de força atômica. (AU) | |
| Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre a bolsa: | |
| Mais itensMenos itens | |
| TITULO | |
| Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias ( ): | |
| Mais itensMenos itens | |
| VEICULO: TITULO (DATA) | |
| VEICULO: TITULO (DATA) | |