Oxidos semicondutores preparados pelo processo sol-gel: propriedades eletroquimicas e eletrocromicas.

• Processo: 98/03920-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 1998
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 1999
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Química - Físico-química
• Pesquisador responsável: Rita Aparecida Zoppi
• Beneficiário: Nelson Henrique Ribeiro Mortean
• Instituição Sede: Instituto de Ciências Biológicas e Química. Pontifícia Universidade Católica de Campinas (PUC-CAMP). Campinas , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 95/09506-4 - Uso do processo sol-gel na preparação de óxidos semi-condutores e materiais híbridos organo-inorgânico, AP.JP
• Assunto(s): Óxidos semicondutores Propriedades eletroquímicas Processo sol-gel
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Eletrocismo | Oxidos Semicondutores | Processo Sol-Gel | Propriedades Eletroquimicas

Resumo

Neste trabalho, oxido de titânio será preparado a partir da hidrolise e condensação do isopropóxido de titânio. Filmes finos do óxido serão obtidos através da deposição por "spin-coating" da solução precursora sobre substratos de platina ou Ito (vidro recoberto com óxido de estanho dopado com índio). Os filmes serão caracterizados quanto às suas propriedades eletroquímicas e eletrocrômicas através de voltametria cíclica, cronoamperometria e cronopotenciometria, acopladas ou não à espectroscopia no ultravioleta-visível. Estas propriedades serão correlacionadas com as condições de preparação do óxido semicondutor. (AU)