Obtenção e caracterização de filmes finos de ZnSe pela técnica de eletrodeposição

• Processo: 09/06344-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 2009
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 2010
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Química - Físico-química
• Pesquisador responsável: Lucia Helena Mascaro Sales
• Beneficiário: Thiago Corrêa Porto Kastein
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Eletrodeposição Eletroquímica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: band gap | disco anel rotatorio | eletrodeposição | seleneto de zinco | semicondutores | eletroquímica

Resumo

Semicondutores binários podem ser aplicados em dispositivos optoeletrônicos, células solares, detectores de infravermelho e lasers. Dentre os diversos semicondutores binários tem havido um interesse crescente nas últimas décadas em semicondutores obtidos a partir de filmes finos de calcogênios devido a sua vasta aplicação em vários campos da ciência e tecnologia. Estes semicondutores levam a obtenção de materiais cujos gaps cobrem o espectro visível e a eficiência de conversão ótica é alta.Recentemente a eletrodeposição tem surgido como uma técnica simples, econômica, viável e capaz de produzir filmes de boa qualidade para aplicação em dispositivos. Outros atrativos desta técnica são: capacidade de produzir dispositivos com grande área, em várias formas geométricas, baixa temperatura de deposição e possibilidade do controle da espessura e da composição pelo ajuste das condições de eletrólise e da composição do banho de deposição. Entretanto a maioria das condições empregadas à eletrodeposição geralmente não leva a eletrodepósitos de boa qualidade para aplicação em dispositivos. A baixa cristalinidade dos filmes crescidos e o excesso de calcogênios nos depósitos são os principais problemas associados com esta técnica. Assim torna-se importante o entendimento e controle do processo de eletrodeposição destes semicondutores buscando obter nanoestruturas no sentido de melhorar os filmes obtidos do ponto de vista de suas propriedades optoeletrônicas.Neste projeto serão obtidos filmes finos de ZnSe por eletrodeposição sobre diferentes substratos, tais como Pt, Au e vidro recoberto com óxido de estanho dopado com índio (ITO). Serão avaliados os filmes obtidos por eletrodeposição de camadas dos elementos individuais e a codeposição simultânea dos elementos.