Caracterizacao experimental de amplificadores de tensao cmos a ganho programavel.

• Processo: 02/01678-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 2002
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 2003
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Circuitos Elétricos, Magnéticos e Eletrônicos
• Pesquisador responsável: Jader Alves de Lima Filho
• Beneficiário: Antonio David da Costa Souza
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia (FEG). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Guaratinguetá. Guaratinguetá , SP, Brasil
• Assunto(s): Circuitos integrados
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Amplificadores De Tensao | Circuitos Cmos | Circuitos Integrados

Resumo

Neste trabalho de Iniciação Científica objetiva-se a caracterização experimental de amplificadores de tensão integrados CMOS previamente projetados no grupo de pesquisa Projeto VLSI & Instrumentação (DEE/FE-G/UNESP) e integrados com processo 0.8um CMOS AMS através do Projeto Multi-Usuário FAPESP. As referidas amostras encontram-se atualmente disponíveis. Os estágios de transcondutância e transresistência, nos quais o amplificador é decomposto, possuem como elemento de base o transistor operando em região triodo. Deste modo, o ganho de tensão é estabelecido de maneira precisa por uma razão geométrica entre transistores, assim como por uma razão entre tensões de polarização. Resultados de simulação indicam que os circuitos apresentam um ganho programável no intervalo continuo de 20 a 40dB. Por tratar-se de amplificadores do tipo fully-differential, uma cuidadosa preparação do sinal diferencial balanceado à entrada é exigida. O circuito foi projetado para operação a 1.8V e pretende-se verificar o limite inferior de operação visando aplicações de baixa-tensão, como pro exemplo, dispositivos de auxílio auditivo (hearing aids). Outro objetivo deste trabalho consiste no re-dimensionamento dos circuitos para operações a 1,4V e adaptação do layout existente de acordo com o processo de fabricação 0.35um CMOS MAS. (AU)