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Propriedades eletronicas de heteroestruturas e sistemas mesoscopicos na presenca de campos ac intensos.

Processo: 98/07475-2
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Data de Início da vigência: 01 de outubro de 1998
Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2001
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Pablo Hector Rivera Riofano
Beneficiário:Pablo Hector Rivera Riofano
Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:00/07691-9 - Sistemas eletrônicos confinados em nanoestruturas, AP.TEM
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Efeito Stark Ac | Estados De Floquet | Heteroestrutura Semicondutora | Localizacao Dinamica | Sistemas Mesoscopicos | Tunelamento Foto Assistido

Resumo

Pretende-se fazer um estudo sistemático de super-redes com duas minibandas fortemente acopladas onde esses sistemas podem ser gerados por meio de dois tipos de dimerização- na presença de um e dois campos AC intensos com freqüências diferentes e assim observar os efeitos de comensurabilidade no espectro de quase energias. Da estrutura eletrônica de "quantum dots" e moléculas artificiais na presença de campos AC e como eles modificam a "ligação química" de "moléculas de quantum dots" em função da intensidade do campo e finalmente as probabilidades de transmissão através de sistemas mesoscópicos na presença de campos AC. (AU)

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