Modelo de crescimento de filmes de passivacao sob condicoes potenciostaticas. seu estudo por tecnicas in-situ.

• Processo: 95/00782-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 1995
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 1997
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Química - Físico-química
• Pesquisador responsável: Mohamed Nadir Boucherit
• Beneficiário: Mohamed Nadir Boucherit
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Espectroscopia Raman Passivação
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Condicao Transiente | Crescimento De Filme De Oxido | Espectroscopia Raman | Passivacao

Resumo

O plano de trabalho consistiria no estudo de transientes de crescimento de filmes de passivação sob condições potenciostaticas para eletrodos de nióbio e zinco. Nesse último caso, usando eletrodos de zinco maciço quanto eletrodepositado sobre um substrato inerte. Além de seguir-se o crescimento através do registro de corrente e da carga, se seguiria o processo de crescimento de filmes através de medidas de impedância, medidas de fotoeletroquímica e espectroscopia raman in-situ. (AU)