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Dissociação de moléculas em superfícies semicondutoras

Processo: 99/06111-0
Modalidade de apoio:Bolsas no Exterior - Pesquisa
Data de Início da vigência: 01 de novembro de 1999
Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2000
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Ronei Miotto
Beneficiário:Ronei Miotto
Pesquisador Anfitrião: Gyaneshwar Prasad Srivastava
Instituição Sede: Pessoa Física
Instituição Anfitriã: University of Exeter, Exeter, Inglaterra  
Assunto(s):Teoria do funcional da densidade   Estrutura eletrônica   Semicondutores
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Barreiras De Ativacao | Energia De Adsorcao | Estrutura Eletronica | Funcional Da Densidade | Pseudopotencial | Superficies

Resumo

Dentro deste projeto pretendemos desenvolver um modelo que possibilite a determinação das barreiras de energia e o caminho seguido pelos constituintes de uma molécula quando de sua dissociação sobre uma superfície semicondutora. Essas grandezas serão determinadas a partir do mapeamento da energia potencial de superfície através de cálculos de primeiros princípios, onde será considerada a influência das diversas formas para o funcional de troca e correlação: CA, GGA, Meta-GGA e NLCC. Complementarmente, estudaremos os modos vibracionais locais das moléculas adsorvidas. (AU)

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