Processos dependentes do spin eletrônico em dispositivos de semicondutores amorfos

• Processo: 93/04667-4
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 1994
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 1995
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Carlos Frederico de Oliveira Graeff
• Beneficiário: Carlos Frederico de Oliveira Graeff
• Pesquisador Anfitrião: Martin Stutzmann
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: Technical University of Munich (TUM), Alemanha
• Assunto(s): Dispositivos eletrônicos Semicondutores Confinamento quântico Ressonância paramagnética de spin
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Confinamento Quantico | Dispositivos Eletronicos | Interfaces | Ressonancia Paramagnetica | Semicondutores Amorfos

Resumo

Estender as medidas de transporte dependente de spins a um gás de elétrons quasi-bidimensional, além do estudo de interfaces em dispositivos do tipo MIS de a-Si:H. A pesquisa compreenderá tanto problemas de física básica (dinâmica de spins, efeito de confinamento quântico, etc..), assim como problema de física aplicada (identificação de centros de recombinação em TFTs de a-Si:H, caracterização de interfaces, etc...). (AU)