Residual stresses in silicon/silicon nitride nanopixels: multimillion atom molecular dynamics simulations

• Processo: 98/12401-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 28 de novembro de 1998
• Data de Término da vigência: 22 de dezembro de 1998
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Antonio José Roque da Silva
• Beneficiário: Antonio José Roque da Silva
• Pesquisador Anfitrião: Rajiv K. Kalia
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: Louisiana State University (LSU), Estados Unidos
• Assunto(s): Simulação de dinâmica molecular Programação paralela
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Computacao Paralela | Dinamica Molecular | Interfaces

Resumo

Estudo de estresse na interface Si(3)N(4)/Si através de simulação atomística (dinâmica molecular). Potenciais empíricos e computação paralela serão utilizados para podermos simular milhões de átomos, necessários aos estudos de estresses em interfaces. (AU)