Modelamento atomístico de defeitos utilizando o embedded atom method

• Processo: 00/14436-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 15 de abril de 2001
• Data de Término da vigência: 14 de maio de 2001
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica
• Pesquisador responsável: Renata Nascimento Nogueira
• Beneficiário: Renata Nascimento Nogueira
• Pesquisador Anfitrião: Diana Farkas
• Instituição Sede: Pessoa Física
• Instituição Anfitriã: Virginia Polytechnic Institute and State University, Estados Unidos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Discordancias | Interfaces | Modelagem Atomistica

Resumo

Este projeto consiste no aprendizado e treinamento da candidata no método denominado EAM (Embbeded Atom Method), para posterior implementação do mesmo no laboratório de computação em ciência dos materiais (LCCMat) do Departamento de Engenharia Metalúrgica e de Materiais da Escola Politécnica da USP, conforme previsto no projeto de pós-doutorado no país (proc. FAPESP 00/07299-1) da mesma bolsista, visando intrimentalizar para o desenvolvimento do mesmo. Note-se que esta bolsa será suspensa durante o período de estágio no exterior. Este projeto está vinculado ao projeto de jovem pesquisador do Prof. Dr. Cláudio Geraldo Shön (Proc. FAPESP 99/07570-8). (AU)