Preparação e caracterização de filmes finos óxidos por MOCVD com fonte sólida

• Processo: 98/02175-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 10 de setembro de 1998
• Data de Término da vigência: 09 de setembro de 1999
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Maria Claudia Cerchiari Custodio
• Beneficiário: Maria Claudia Cerchiari Custodio
• Pesquisador Anfitrião: Robert Saul Feigelson
• Instituição Sede: Pessoa Física
• Instituição Anfitriã: Stanford University, Estados Unidos
• Assunto(s): Filmes finos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Filmes Finos | Materiais Oxidos | Mocvd

Resumo

Técnicas de preparação em filmes finos têm sido bastante utilizadas tanto no desenvolvimento de novos materiais, como também no controle do processo de preparação de materiais conhecidos. Dentre as diversas técnicas existentes de deposição, a de MOCVD ("MetalOrganic Chemical Vapor Depostion") consolidou-se com a fabricação de materiais semicondutores, inclusive materiais multicomponentes, por ser capaz de produzir camadas com alta qualidade cristalina e interfaces monoatomicamente abruptas. A introdução de pós-precursores misturados, constituindo-se numa fonte sólida única, possibilitou que esta técnica pudesse também ser utilizada na deposição de materiais óxidos, inclusive compostos supercondutores. Entre os vários materiais óxidos, o niobato de lítio tem recebido especial atenção por ter importantes aplicações em dispositivos ópticos (chaveamento eletro-óptico, modulação, geração de freqüência e guias de onda). Neste trabalho, estamos propondo preparar e caracterizar filmes finos óxidos utilizando-se a técnica de MOCVD com fonte sólida única disponível no Center for Materials Research da Stanford University. (AU)