Filmes finos metalo-organicos sobre silício para o desenvolvimento de sensores

• Processo: 04/13970-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2005
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2005
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Química - Química Inorgânica
• Pesquisador responsável: Ubirajara Pereira Rodrigues Filho
• Beneficiário: Ubirajara Pereira Rodrigues Filho
• Pesquisador Anfitrião: Phillipe Alongue
• Instituição Sede: Instituto de Química de São Carlos (IQSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: École Polytechnique, França
• Assunto(s): Dióxido de carbono Silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dioxido De Carbono | Filmes Finos Automontados | Hidrosililacao | Sensores | Silicio

Resumo

No presente projeto pretendemos desenvolver metodologia para a produção de filmes finos auto-montados sobre a superfície atomicamente plana de H-Si(111). Os filmes finos orgânicos serão produzidos por hidrosililação de alcenos contendo grupos funcionais do tipo N-heterociclos e amino, -NH2. O filme metalo-orgânico será obtido pela adsorção de pentacianoferrato(ll) sobre os filmes orgânicos. Uma vez preparados os filmes serão caracterizados quanto a sua estrutura química por FT-IR ATR, ToF-SIMS ou LDI-ToF MS e XPS. O ordenamento dos filmes será caracterizado por Microscopia de Força Atômica (AFM). A reatividade dos filmes frente ao CO2, arginina e atrazina será estudada. Finalmente, o silício modificado com os filmes será utilizado para desenvolver sensores para estas moléculas. (AU)