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Estudo da interação radiação-Matéria em microcavidades semicondutoras

Processo: 96/05660-1
Modalidade de apoio:Bolsas no Exterior - Pesquisa
Data de Início da vigência: 02 de janeiro de 1997
Data de Término da vigência: 01 de janeiro de 1999
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Adriana Lúcia Cerri Triques
Beneficiário:Adriana Lúcia Cerri Triques
Pesquisador Anfitrião: Philippe Roussignol
Instituição Sede: Pessoa Física
Instituição Anfitriã: École Normale Supérieure, Paris (ENS), França  
Assunto(s):Semicondutores
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Exciton | Heteroestrutura | Microcavidade | Polariton | Resolucao Temporal | Semicondutores

Resumo

O presente projeto de trabalho propõe o estudo, em tempo real, da interação radiação matéria em um poço quântico de semicondutor inserido numa cavidade óptica de material semicondutor com espessura da ordem do comprimento de onda da radiação eletromagnética. Estaremos interessados no regime de forte acoplamento entre o éxciton, confinado na região do poço quântico, e o fóton, confinado pela microcavidade óptica. Neste regime, os auto-estados do sistema não são mais constituídos por éxcitons e fótons separadamente, mas sim por uma mistura de estados excitônicos e fotônicos acoplados, o chamado exciton-polariton. Este acoplamento intenso é caracterizado por um anti-cruzamento mensurável das curvas de dispersão originais do éxciton e do fóton desacoplados, formando os ramos de dispersão do exciton-polariton. A dinâmica da interação radiação-matéria será investigada a partir de técnicas de espectroscopia óptica coerente, com resolução temporal na escala de 100 fs. Estaremos particularmente interessados na determinação dos tempos de coerência de fase excitônica na presença da microcavidade e no regime de forte acoplamento com o foton, para posterior comparação com o sistema formado por um poço quântico isolado. (AU)

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